特許
J-GLOBAL ID：200903028983548056
RAMジエネレータ及びRAMモジユール
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-170192
公開番号（公開出願番号）：特開平5-020873
出願日： 1991年07月10日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：
【要約】【目的】 より消費電力の小さなLSI用RAMモジュールを提供することをその目的とする。【構成】 このRAMジェネレータは、メモリのワード数に応じて、センスアンプを制御するタイミング発生回路を最適に設計する。このRAMモジュールは、与えられたワード数で配置されたメモリセル121と、このメモリセル121からの出力を増幅するセンスアンプ101と、ワード数に応じたタイミングでセンスアンプ101の動作状態を制御するタイミング発生回路111とを有する。
請求項（抜粋）：
与えられたワード数で配置されたメモリセルと、このメモリセルからの出力を増幅するセンスアンプと、このセンスアンプの動作状態を制御するタイミング発生回路とからなるRAMモジュールを生成するRAMジェネレータにおいて、前記タイミング発生回路が制御するタイミングを前記メモリセルのワード数から自動的に算出して設定する手段を備えたことを特徴とするRAMジェネレータ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 11/34 Z
, H01L 27/10 325 V
