特許

J-GLOBAL ID：200903028984718532

半導体製造装置

発明者： 濱崎 哲治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-180036
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012477
出願日： 1998年06月26日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、処理容器内に装填したウェーハ面内の十分に良好な温度均一性が実現されるようにプロセスガスの流れを制御することが可能な半導体製造装置を提供することを目的とする。【解決手段】 ガスインレット部14近傍の石英チューブ12内に第1及び第2のガス分配板24、26が、ガスインレット部14からウェーハ20表面に向かうガス流方向に沿って配置されている。ガスインレット部14側の第1のガス分配板24においては、その中央部に第1のガス噴出口30が、その両外側に第2のガス噴出口32a、32bが、異なる大きさをもって開口されている。ウェーハ20側の第2のガス分配板26においては、その中央部に第3のガス噴出口34が、その両外側に第4のガス噴出口36a、36bが、更にその両外側に第5のガス噴出口38a、38bが、異なる大きさをもって開口されている。

請求項（抜粋）：

処理容器内に装填したウェーハ表面にガスインレット部から略水平方向にプロセスガスを導入し、所定のウェーハ処理を行う半導体製造装置であって、前記ガスインレット部近傍の前記処理容器内に、大きさの異なるガス噴出口が開口された複数枚のガス分配板がガス流方向に沿って配置されていることを特徴とする半導体製造装置。

IPC (2件)：

H01L 21/22 511 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 21/22 511 S ,  H01L 21/205

Fターム (3件)：

5F045DP04 ,  5F045EF14 ,  5F045EK11