特許
J-GLOBAL ID：200903028986551333
バンプ電極形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 英彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-171590
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012589
出願日： 1998年06月18日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：
【要約】【課題】 バンプ電極の剥がれを防ぎ、かつバンプ電極の高さを揃えること。【解決手段】 下地電極12aを形成し、該下地電極12aを被う第1絶縁層13を形成し、該第1絶縁層13を被うように、該第1絶縁層13よりエッチング速度の遅い第2絶縁層14を形成し、該第2絶縁層14を被うフォトレジスト層を形成し、該フォトレジスト層に開口部を設け、該フォトレジスト層をマスクとして該開口部から前記第1及び第2絶縁層13、14をエッチングして前記下地電極12aを露出させ、前記フォトレジスト層を除去した後、前記下地電極12aを被い前記第1及び第2絶縁層13、14の外にまではみ出すようにバンプ電極17を形成することを特徴とするバンプ電極形成方法。
請求項（抜粋）：
下地電極を形成し、該下地電極を被う第1絶縁層を形成し、該第1絶縁層を被うように、該第1絶縁層よりエッチング速度の遅い第2絶縁層を形成し、該第2絶縁層を被うフォトレジスト層を形成し、該フォトレジスト層に開口部を設け、該フォトレジスト層をマスクとして該開口部から前記第1及び第2絶縁層をエッチングして前記下地電極を露出させ、前記フォトレジスト層を除去した後、前記下地電極を被い前記第1及び第2絶縁層の外にまではみ出すようにバンプ電極を形成することを特徴とするバンプ電極形成方法。
FI (2件)：
H01L 21/92 604 B
, H01L 21/92 604 S
