特許

J-GLOBAL ID：200903028986784354

半導体基板及び半導体装置及び半導体基板の製造方法及び半導体基板の製造治具及び半導体装置の製造治具

発明者： 阿部 寿
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-059886
公開番号（公開出願番号）：特開2001-250775
出願日： 2000年03月06日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
要約：

【要約】【課題】ガラス基板や石英基板等を含む絶縁体基板上に製造が容易で精度の高い単結晶半導体膜が形成された半導体基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板10は、石英基板1と、同基板1の1主面上にアモルファスシリコン膜等の非単結晶シリコン膜3から改質形成された単結晶シリコン膜2aとを有して構成される。非単結晶シリコン膜3から単結晶シリコン膜2aへの改質は、まず、シリコン酸化膜12に覆われその一部を単結晶シリコン露出部11bとする単結晶シリコン基板11とその1主面上に非単結晶シリコン膜3が形成された石英基板1とを張り合わせる。そして、単結晶シリコン露出部11bと非単結晶シリコン膜3との境界部にレーザ光線を照射して種結晶を形成し、レーザ光線を移動する境界部に順次照射して、全ての非単結晶シリコン膜3を単結晶シリコン膜2aに改質する。その後、単結晶シリコン基板11を除去する。

請求項（抜粋）：

絶縁体基板の少なくとも1主面上の非単結晶半導体膜が単結晶半導体膜として改質形成された半導体基板。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  C23C 16/56 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/20 ,  C23C 16/56 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/78 627 G

Fターム (46件)：

4K030BB03 ,  4K030BB05 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA09 ,  4K030GA02 ,  5F045AA06 ,  5F045AB02 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AB32 ,  5F045AF07 ,  5F045CA15 ,  5F045GH08 ,  5F045HA18 ,  5F052AA02 ,  5F052BA01 ,  5F052BB07 ,  5F052CA04 ,  5F052DA01 ,  5F052DB02 ,  5F052GA02 ,  5F052GB11 ,  5F052JA01 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110EE09 ,  5F110GG02 ,  5F110GG06 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110NN02 ,  5F110NN04 ,  5F110NN35 ,  5F110PP03 ,  5F110PP05 ,  5F110PP23 ,  5F110PP31 ,  5F110PP36 ,  5F110PP38 ,  5F110QQ17