特許

J-GLOBAL ID：200903028987408194

シミュレーション方法及びシミュレーション装置

発明者： 中村 光利
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-072479
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283458
出願日： 1993年03月30日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：

【要約】【目的】 一般のプロセスシュミレータで用いられる標準拡散モデルで再現できない高濃度不純物のテール拡散を高速で高精度に計算する事を目的とする。【構成】 点欠陥と不純物の対結合で不純物が拡散すると考える事によって得られる点欠陥と不純物の拡散現象を記述した偏微分方程式の点欠陥に関する式に対し、格子間シリコンと空孔の反応は熱平衝状態であり、点欠陥の拡散は準定常状態であり、不純物は格子間シリコンとの対結合だけで拡散すると仮定する事により前記偏微分方程式を簡単化して解析的に解く工程と前記不純物の拡散現象を記述した偏微分方程式を数値的に解く工程とを含む。

請求項（抜粋）：

点欠陥と不純物の反応によって点欠陥・不純物対が発生する事と格子間シリコン・不純物対と空孔の反応によって空孔が消滅する過程は無視できる事と前記反応は熱平衝状態で各粒子の濃度は質量保存の法則に従う事と不純物は点欠陥と対結合を起こした場合にのみ拡散する事を仮定する事によって導出されるシリコン基板中の点欠陥と不純物の拡散現象を記述した偏微分方程式を解いてシミュレーションを行なう際に、前記格子間シリコンと空孔の反応は熱平衝状態である事と点欠陥の拡散は準定常状態である事と不純物は格子間シリコンとの対結合だけで拡散する事を仮定する事によって前記点欠陥の拡散現象を記述した偏微分方程式を格子間シリコンに対する常微分方程式とし、シリコン基板の所定深さにおける位置では格子間シリコンの流束が零であり、前記基板の表面では格子間シリコンの流束が格子間シリコン濃度の一次式で表される境界条件を用いて解析的に解く工程と、前記不純物の拡散現象を記述した偏微分方程式を数値的に解く工程とを含む事を特徴とするシミュレーション方法。