特許
J-GLOBAL ID：200903028994585204
CMOS型固体撮像素子を用いた撮像システムおよび撮像装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
大日方 富雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-376668
公開番号（公開出願番号）：特開2003-179820
出願日： 2001年12月11日
公開日（公表日）： 2003年06月27日
要約：
【要約】【課題】 従来のCMOS型固体撮像素子などのイメージセンサにおいては、撮影環境の明るさに応じてセンサの感度すなわち各画素における電荷蓄積時間を調整するいわゆる自動アイリス制御やホワイトバランス調整などの自動制御が行われているので、低消費電力化のためにイメージセンサのフレームレートを遅くすると、自動制御系の動作も遅くなり、画質が劣化するという課題がある。【解決手段】 CMOS型固体撮像素子を用いた撮像システムにおいて、CMOS型固体撮像素子(10)は常時フルフレームレートで動作させる一方、CMOS型固体撮像素子からの画像信号を処理する回路(20)は、電源投入時や撮影環境の変化時にのみフルフレーム処理に近い速度で動作させ、アイリス制御などの自動制御が安定した時点でフレーム処理速度を低レートに切り換えるようにした。
請求項（抜粋）：
CMOS型固体撮像素子と該CMOS型固体撮像素子からの画像信号を処理する信号処理用半導体集積回路とを備えた撮像システムであって、前記信号処理用半導体集積回路は、前記CMOS型固体撮像素子からの画像信号の変化が所定の値よりも大きい場合に当該信号処理用半導体集積回路内部の動作クロックの周波数を下げるように構成されていることを特徴とする撮像システム。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H04N 5/335 Z
, H04N 5/335 E
, H01L 27/14 A
4M118AA04
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA02
, 4M118DB09
, 4M118DB16
, 4M118DD10
, 4M118DD12
, 4M118FA06
, 4M118FA34
, 4M118FA42
, 5C024BX01
, 5C024CX54
, 5C024CX65
, 5C024CY42
, 5C024DX01
, 5C024GX03
, 5C024GY31
, 5C024HX18
, 5C024HX29
, 5C024HX58
