特許

J-GLOBAL ID：200903028998214898

電力増幅器,及び電力増幅器用バイアス回路

発明者： 山本 和也 ,  宮崎 行雄
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-325655
公開番号（公開出願番号）：特開平11-163640
出願日： 1997年11月27日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：

【要約】【課題】 低電圧で動作可能な電力増幅器、及び電力増幅器用バイアス回路を提供することを課題とする。【解決手段】 エミッタ接地のヘテロバイポーラトランジスタTrA を備えた増幅段100bと、ベース電極が電源端子と接続され、そのベース電流に応じて増幅された電流が出力されるエミッタ端子が増幅段100bのヘテロバイポーラトランジスタTrA のベース電極に接続された第1のシリコンバイポーラトランジスタTr1 を有するバイアス回路を備えるようにした。

請求項（抜粋）：

ベース端子がRF信号が入力される端子と接続された、エミッタ接地の信号増幅用のヘテロバイポーラトランジスタを有する増幅段と、ベース電極が電源端子と接続され、そのベース電流に応じて増幅された電流が出力される端子が上記増幅段のヘテロバイポーラトランジスタのベース電極に接続された第1のシリコンバイポーラトランジスタを有するバイアス回路とを備えたことを特徴とする電力増幅器。

IPC (2件)：

H03F 3/04 ,  H03F 1/30

FI (2件)：

H03F 3/04 ,  H03F 1/30 A

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 高周波増幅回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-062525   出願人：シャープ株式会社