単結晶シリコン基板の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井内龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-064273
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267113
出願日： 1992年03月21日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：

【要約】【構成】チョクラルスキー法を用いて形成された単結晶シリコン基板の結晶方位と、フローティングゾーン法を用いて形成された単結晶シリコン基板の結晶方位とを合わせて一体化させる単結晶シリコン基板の製造方法。【効果】 CZ法に基づくIG層及びFZ法に基づくDZ層の2層より成る単結晶シリコン基板が得られるので、酸化膜の耐圧特性に優れ、良品歩留率の高い単結晶シリコン基板を製造することができる。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー(CZ)法を用いて形成された単結晶シリコン基板における結晶方位と、フローティングゾーン(FZ)法を用いて形成された単結晶シリコン基板における結晶方位とを合わせて一体化させることを特徴とする単結晶シリコン基板の製造方法。

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