特許

J-GLOBAL ID：200903029001031493

半導体ガスセンサ

発明者： 平井 迪夫
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 小杉 佳男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-324170
公開番号（公開出願番号）：特開平6-174674
出願日： 1992年12月03日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：

【要約】【目的】薄くて軽い半導体ガスセンサを提供する。【構成】厚さ0.03mm以上0.4mm以下のアルミナ基板21の一方の面に酸化スズ薄膜22を形成し、この酸化スズ薄膜22の両端部に電極23を形成し、この電極23にリード線24を接続した。また、アルミナ基板21の他方の面に、酸化スズ薄膜22を加熱するためのニクロム抵抗体膜25を形成し、このニクロム抵抗体膜25の両端部に電極26を形成し、この電極26にリード線27を接続した。

請求項（抜粋）：

厚さ0.03mm以上0.4mm以下のアルミナ基板と、該アルミナ基板に形成された半導体金属酸化物膜とを備えたことを特徴とする半導体ガスセンサ。