積層配線のドライエッチング方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-040100
公開番号（公開出願番号）：特開平7-249612
出願日： 1994年03月10日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：

【要約】【目的】 W層上にAl系金属層が形成された、マイグレーション耐性に優れた積層配線を、残渣やパーティクル汚染の発生を伴わずに異方性エッチングする。【構成】 Al系金属層5をCl系ガスでエッチング後、Al系金属層5側面に側壁窒化膜または側壁炭化膜10を形成し、この後高融点金属層4はCl系とO系の混合ガスに切り替えてパターニングする。Cl系ガスとして、塩化イオウ系ガスを用いてもよい。【効果】 W等の高融点金属層はオキシ塩化物となり、イオンモードでエッチングされるので異方性に優れる。Al系金属層パターン側面の側壁窒化膜等はClラジカルによるサイドアタックを防止する。F系ガスを用いないので、AlFx系の変質膜がフェンス状残渣となって残ることがない。Cl系ガスとして塩化イオウガスを用いると、イオウ系の側壁保護膜の併用ができるので、一層の異方性形状の向上が可能となる。

請求項（抜粋）：

高融点金属層上にAl系金属層が形成された構造を含む積層配線のドライエッチング方法において、該Al系金属層をCl系ガスを含むガスでエッチング後、該Al系金属層パターン側壁に窒化処理を施し、この後前記高融点金属層をCl系ガスとO系ガスを含む混合ガスによりエッチングすることを特徴とする、積層配線のドライエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/28 301 , H01L 21/3213

FI (2件)：

H01L 21/302 F , H01L 21/88 D

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開平2-239624
特開平4-206819
配線部材の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-212349 出願人：株式会社日立製作所

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審査官引用 (2件)

特開平2-239624
特開平4-206819

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