特許
J-GLOBAL ID：200903029007112932
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-048645
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251637
出願日： 1992年03月05日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、半導体装置、特にDRAMなどにおけるキャパシタ部の絶縁膜に関するもので、そのキャパシタ絶縁膜形成において自然酸化膜が生成されることを無くし、装置としての信頼性、寿命の向上を図ることを目的とするものである。【構成】 前記目的達成のため、本発明は前記キャパシタ絶縁膜の一つである酸化膜を窒化シリコンを熱酸化したシリコン酸化膜3、5とし(つまり自然酸化膜でなく人為的に形成した良質な酸化膜)、その酸化膜3、5と窒化シリコン膜4との3層構造(図1(a))または2層構造(図1(b)(c))としたものである。
請求項（抜粋）：
半導体装置におけるキャパシタ部のキャパシタ絶縁膜として、窒化シリコン膜の両面上に、窒化シリコンを酸化して得られるシリコン酸化膜を配設した3層構造としたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/10 325 M
, H01L 27/10 325 C
