特許

J-GLOBAL ID：200903029010804640

薄膜インダクタンス素子およびその製造方法

発明者： 富田 宏 ,  佐藤 敏郎 ,  溝口 徹彦
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-221413
公開番号（公開出願番号）：特開平8-088119
出願日： 1994年09月16日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：

【要約】【目的】 複数のコイル導体方向に対してそれぞれ平行な方向に磁化容易軸を有することが可能な磁性膜を具備する薄膜インダクタンス素子およびその製造方法を提供する。【構成】 磁性膜11と、この磁性膜11に沿って配置されたコイル12とを具備する薄膜インダクタンス素子において、磁性膜11は、その膜面に平行で、かつコイル12の電流方向に対して略直交する方向の平均反磁場(Hd )max が磁性膜自体の異方性磁場Hk 以上であり、上記平均反磁場(Hd )max を規定する方向と略直交する方向に磁化容易軸を有している。磁化容易軸は、上記平均反磁場(Hd )max 以下でかつ異方性磁場Hk 以上の外部磁場Hexを印加しつつ熱処理することにより付与する。

請求項（抜粋）：

磁性膜と、前記磁性膜に沿って配置されたコイルとを具備する薄膜インダクタンス素子において、前記磁性膜は、その膜面に平行で、かつ前記コイルの少なくとも一つの電流方向に対して略直交する方向の平均反磁場が、前記磁性膜自体の異方性磁場以上であると共に、前記平均反磁場の方向と略直交する方向に磁化容易軸を有することを特徴とする薄膜インダクタンス素子。

IPC (2件)：

H01F 17/00 ,  H01F 41/04