特許

J-GLOBAL ID：200903029015314340

半導体装置製造用の研磨用組成物

発明者： 小野 博文 ,  松江 雄二 ,  沢田 直治
出願人/特許権者： 旭化成株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-005413
公開番号（公開出願番号）：特開2001-192645
出願日： 2000年01月14日
公開日（公表日）： 2001年07月17日
要約：

【要約】【課題】 広範なpH範囲で実施される傾向にある半導体装置製造における超精密研磨工程において、研磨表面の均一性、平坦性を高めることを可能にすると共に研磨効率の良い研磨用組成物を提供すること、及び該研磨用組成物を用いる半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】 研磨用砥粒およびこれを分散する水あるいは水混和性化合物の水溶液と、さらに、平均重合度(DP)が100以下で、セルロースI型結晶成分の分率が0.1以下、セルロースII型結晶成分の分率が0.4以下であり、かつ構成するセルロース粒子の平均粒径が5μm以下であるセルロースを含有する研磨用組成物、及び該研磨用組成物を用いて研磨する半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

平均一次粒子径が100nm以下の研磨用砥粒およびこれを分散する水もしくは水混和性化合物の水溶液と、さらに平均重合度(DP)が100以下で、セルロースI型結晶成分の分率が0.1以下、セルロースII型結晶成分の分率が0.4以下で、かつ構成するセルロース粒子の平均粒径が5μm以下であるセルロースを含有することを特徴とする半導体装置製造用の研磨用組成物。

IPC (4件)：

C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14 ,  B24B 37/00 ,  H01L 21/304 622

FI (5件)：

C09K 3/14 550 C ,  C09K 3/14 550 D ,  C09K 3/14 550 Z ,  B24B 37/00 H ,  H01L 21/304 622 D

Fターム (9件)：

3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058CA01 ,  3C058CB01 ,  3C058CB03 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17