特許
J-GLOBAL ID：200903029017085909
パターン作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-290667
公開番号（公開出願番号）：特開平11-125728
出願日： 1997年10月23日
公開日（公表日）： 1999年05月11日
要約：
【要約】【課題】マスク層のサイドエッチを抑制して滑らかなリッジ側壁を実現することができ、例えば伝搬損失の低い光導波路の作製が可能なエッチングマスク層を形成するパターン作製方法を提供する。【解決手段】基板(ニオブ酸リチウム、シリコンまたはガリウム・ヒ素)の基板表面の一部分をエッチングして、基板上に突起形状のリッジパターンを形成する方法であって、基板上に、金属材料(チタン、タンタルまたはニッケル)よりなる薄膜層を形成し、この上に、酸化物材料(酸化ケイ素、酸化アルミニウムまたは酸化チタン)よりなる中間薄膜層を介して、金属材料よりなる薄膜層を1回、もしくは複数回繰り返し積層する工程と、この積層膜を一度のエッチングプロセスで、設定のパターンを有するエッチングマスク層を形成する工程を含むパターン作製方法とする。
請求項（抜粋）：
基板表面の一部分をエッチングして、該基板上に突起形状のリッジパターンを形成するパターン作製方法であって、上記基板上に、エッチングマスク層である金属材料よりなる薄膜層を形成し、該金属材料よりなる薄膜層上に、酸化物材料よりなる中間薄膜層を介して上記金属材料よりなる薄膜層を1回、もしくは複数回繰り返し積層する工程と、上記積層した薄膜層をレジストパターンを用いてエッチングすることにより、設定のパターンを有するエッチングマスク層を形成する工程を含むことを特徴とするパターン作製方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G02B 6/12 M
, G02B 6/12 J
