特許
J-GLOBAL ID：200903029017885581
パターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-252850
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106235
出願日： 1993年10月08日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：
【要約】【目的】 基板からの反射の影響を受けず、高解像度でかつ高精度なパターン形成技術を実現する。【構成】 透過率の低い化学増幅型のレジスト13をKrFエキシマレーザ11で露光して、レジスト表面に酸を発生させる(15)。露光後、基板に対して水平にアノード18、カソード19を設置して直流電圧を印加し、ホットプレート20で加熱し、表面の酸を垂直下方に移動させる。酸の移動16中、酸によりレジストはアルカリ可溶に変化する。アルカリ現像液で現像すると、高精度なパターンが形成できた。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に放射線を照射することによって酸が発生する物質と酸により溶解性が変化する化合物を含むレジストを塗布する工程と、前記レジストを露光する工程と、前記レジストに対して垂直にかつ前記半導体基板に対して前記レジスト表面の電位が正電位となるように電界を加える工程と、前記レジストを現像する工程とを備えたパターン形成方法。
IPC (2件)：
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