特許

J-GLOBAL ID：200903029022389274

半導体発光素子およびその製法

発明者： 細見 忠敬 ,  松本 幸生
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-367727
公開番号（公開出願番号）：特開2001-185756
出願日： 1999年12月24日
公開日（公表日）： 2001年07月06日
要約：

【要約】【課題】 InGaAlP系の4元系化合物半導体を用いて黄色から緑色の波長の短い光を発光する場合でも、発光する光を吸収しないと共に、腐食に対して強く信頼性の高い保護層を半導体積層部の表面に有する半導体発光素子およびその製法を提供する。【解決手段】 半導体基板1の上にInGaAlP系化合物半導体からなる発光層形成部11が設けられ、さらにその発光層形成部11上にAlzGa1-zAsからなるウインドウ層6が設けられ、その表面にAluIn1-uP(0.35≦u≦0.5)からなる保護層10が設けられている。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、該半導体基板の上にInGaAlP系化合物半導体からなる発光層形成部と、該発光層形成部上に設けられるウインドウ層と、該ウインドウ層上に設けられるAlInP系化合物半導体からなる保護層とを有する半導体発光素子。

Fターム (6件)：

5F041AA03 ,  5F041AA44 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA65