特許

J-GLOBAL ID：200903029023550826

半導体装置

発明者： 中川 宏史 ,  富永 安治 ,  沼田 典之 ,  木村 浩
出願人/特許権者： 九州日立マクセル株式会社 ,  トレックス・セミコンダクター株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-213351
公開番号（公開出願番号）：特開2003-174121
出願日： 2000年06月20日
公開日（公表日）： 2003年06月20日
要約：

【要約】【目的】 リードレス表面実装方式の半導体装置において、高精度,小型,薄型タイプでありながら、信頼性にも優れた構成を提供することを目的とする。【構成】半導体素子Sが搭載される金属層2aと、該金属層2aの周りに所定の間隔をおいて配置される1以上の電極層2bと、上記金属層2a上に搭載した半導体素子Sと電極層2bとを、ワイヤーボンディング等の方法で電気的に接続した状態で樹脂封止して、金属層2aと電極層2bの各裏面を樹脂層4の底面から露出して形成した半導体装置において、樹脂封止される上記金属層2a及び電極層2b各々の上端部周縁を、庇状に張り出し形成した構成を採用することで、樹脂層4への喰い込み効果により、密着強度の向上を図ったものである。

請求項（抜粋）：

半導体素子Sが搭載される金属層2aと、該金属層2aの周りに所定の間隔をおいて配置される1以上の電極層2bと、上記金属層2a上に搭載した半導体素子Sと電極層2bとを、ワイヤーボンディング等の方法で電気的に接続した状態で樹脂封止して、金属層2aと電極層2bの各裏面を樹脂層4の底面から露出して形成した半導体装置において、樹脂封止される上記金属層2a及び電極層2b各々の上端部周縁を、庇状に張り出し形成して構成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/12 501 ,  H01L 23/50

FI (2件)：

H01L 23/12 501 V ,  H01L 23/50 H

Fターム (4件)：

5F067AA01 ,  5F067AA05 ,  5F067AB04 ,  5F067CC03