特許

J-GLOBAL ID：200903029036354830

半導体記憶装置及びその製造方法

発明者： 北 明夫
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-321644
公開番号（公開出願番号）：特開平6-169069
出願日： 1992年12月01日
公開日（公表日）： 1994年06月14日
要約：

【要約】【目的】 絶縁膜を基板中に埋め込み、これを貫通してトレンチを開け、下部基板をセルプレートとし、トレンチ内部にキャパシタ誘電体膜、キャパシタ電極を埋め込み、トレンチ上部でスイッチングトランジスタとのコンタクトをとるようにし、微細化に適した半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。【構成】 半導体記憶装置において、半導体基板101中に埋め込まれた絶縁膜102と、この絶縁膜102を貫通して形成されたトレンチ105と、半導体基板101をプレート電極とし、トレンチ105内面に形成された誘電体薄膜106及びトレンチ105内に埋め込まれたストレージ電極107から構成されるキャパシタと、半導体基板101の表面の半導体薄層103に形成されたMISトランジスタとを設ける。

請求項（抜粋）：

(a)半導体基板中に埋め込まれた絶縁膜と、(b)前記絶縁膜を貫通して形成されたトレンチと、(c)前記半導体基板をプレート電極とし、前記トレンチ内面に形成された誘電体薄膜及び前記トレンチ内に埋め込まれたストレージ電極から構成されるキャパシタと、(d)前記半導体基板の表面の半導体薄層に形成されたMISトランジスタとを有することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (3件)：

H01L 27/108 ,  H01L 27/04 ,  H01L 29/784

FI (3件)：

H01L 27/10 325 D ,  H01L 27/10 325 G ,  H01L 29/78 311 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-218860   出願人：三洋電機株式会社
• 特開平4-212451
  
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-233270   出願人：三洋電機株式会社