特許

J-GLOBAL ID：200903029037060120

磁気抵抗効果型ヘッド

発明者： 斎藤 正路 ,  渡辺 利徳 ,  栗山 年弘
出願人/特許権者： アルプス電気株式会社
代理人 (1件)： 武 顕次郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-240076
公開番号（公開出願番号）：特開平9-091624
出願日： 1995年09月19日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：

【要約】【目的】 反強磁性膜により交換結合した強磁性膜と磁気抵抗効果膜との強磁性結合を断ち切るように構成し、磁気抵抗効果膜への安定したバイアス磁界を供給すること。【構成】 磁気抵抗効果膜3の両端部の読み取りトラック領域外に、反強磁性体膜4と前記反強磁性体膜4に直接接することにより交換結合磁界を受けた強磁性体膜5とを、前記強磁性体膜5を前記磁気抵抗効果膜側に配するように形成し、前記磁気抵抗効果膜3と前記強磁性体膜5との接触界面で生じる強磁性結合を妨げ、且つ前記反強磁性体膜4と前記強磁性体膜5の結晶配向を整える非磁性介在膜6を、前記磁気抵抗効果膜3と前記強磁性体膜5との間に形成し、前記強磁性体膜5と前記反強磁性体膜4との交換結合によって磁気抵抗効果膜にバイアス磁化を印加すること。

請求項（抜粋）：

磁気抵抗効果を有する強磁性体膜を用いた磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記ヘッドの中央部読み取りトラック領域に磁気抵抗効果膜を形成し、前記磁気抵抗効果膜の両端部の読み取りトラック領域外に、反強磁性体膜と前記反強磁性体膜に直接接することにより交換結合磁界を受けた強磁性体膜とを形成し、前記磁気抵抗効果膜と前記強磁性体膜の接触界面による強磁性結合を生じさせないように、前記強磁性体膜と前記磁気抵抗効果膜を積層し、前記強磁性体膜と前記反強磁性体膜との交換結合によって磁気抵抗効果膜にバイアス磁化を印加することを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。