特許

J-GLOBAL ID：200903029038672197

半導体ウェハの洗浄方法

発明者： 濱中 雅司 ,  堂前 伸一
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 武田 元敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-060329
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275591
出願日： 1993年03月19日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：

【要約】【目的】 半導体ウェハの洗浄条件を設定して歩留まりよく、かつ、高い信頼性で洗浄する。【構成】 半導体ウェハにMOSダイオード、EEPROM、MNOSダイオードの少なくとも一種を作り込んだ試験片を用いて洗浄試験を行う。洗浄によりゲート電極6に注入された電荷7により、MOSダイオードのゲート酸化膜5の両面間にチャージアップ電圧が発生し、その電圧が高いとゲート酸化膜5が破壊(破壊部分8)される。そこで、半導体ウェハのチャージアップダメージを検出し、チャージアップダメージが発生しないチャージアップ低減による洗浄条件を設定する。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハにMOSダイオード、EEPROM、MNOSダイオードの少なくとも一種を作り込んだ試験片を用いて洗浄試験を行い、半導体ウェハのチャージアップダメージを検出し、チャージアップダメージが発生しないチャージアップ低減による洗浄条件を設定することを特徴とする半導体ウェハの洗浄方法。

IPC (5件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/66 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (2件)：

H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371