特許

J-GLOBAL ID：200903029045748808

ドライエッチング方法

発明者： 福田 誠一 ,  門村 新吾
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-238373
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094469
出願日： 1993年09月24日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】【目的】 Si系材料層のドライエッチングにおいて、パターンの疎密に起因する同一チップ内でのエッチング速度の不均一化とパターン断面形状のばらつきを抑制する。【構成】 W-ポリサイド膜5をエッチングする際に、F* を主エッチング種とするジャストエッチング(JE)と、Cl+ またはBr+ を主エッチング種とし、SiOx を側壁保護に用いるオーバーエッチング(OE)とを組み合わせる。JE工程ではラジカル入射量が多いパターンの疎な領域Iでエッチング速度が速く、OE工程ではSiOx 堆積量の少ないパターンの密な領域IIでエッチング速度が速くなる。【効果】 JE,OEを通じて双方の領域I, IIでそれぞれエッチング速度の高低を相殺できるので、いずれの領域でも異方性形状を有するゲート電極5aが形成できる。

請求項（抜粋）：

シリコン系材料層のエッチングを行うドライエッチング方法において、放電解離条件下でフッ素系化学種を生成し得るエッチング・ガスを用いて前記シリコン系材料層を実質的にその層厚分だけエッチングするジャストエッチング工程と、放電解離条件下でフッ素系化学種以外のハロゲン系化学種を生成し得るエッチング・ガスを用い、被エッチング領域に少なくともシリコン系反応生成物を堆積させながら前記シリコン系材料層の残余部をエッチングするオーバーエッチング工程とを有することを特徴とするドライエッチング方法。