特許
J-GLOBAL ID：200903029046530784
ガス容器へのガス充填方法及びガス充填装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-298836
公開番号（公開出願番号）：特開2000-120992
出願日： 1998年10月20日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：
【要約】【課題】 ガス容器内のガスの置換を確実に行うことで、高純度のガスの充填を可能にするガス容器へのガス充填方法を実現する。【解決手段】 両端にガス流通口2、3を備えるガス容器4の、ガス流通口2、3に取り付けられる容器弁5、6の口金部のパージ処理を行った後、ヘリウムガスを容器弁5からガス容器4内を通じて容器弁6へ向けて流通させることでガス容器4内を流通パージ処理し、さらにガス分析手段18によってパージ処理ガス中の不純物濃度が所定濃度未満になったことを確認した後、改めて半導体プロセスガスによってガス容器4内の流通パージ処理を行い、その後にガス容器4内に半導体プロセスガスを充填する。
請求項（抜粋）：
両端にガス流通口を設けそれぞれに容器弁を備えたガス容器に、半導体プロセスガスを充填するガス充填方法であって、前記ガス容器内をアルゴンガス、ヘリウムガス、水素ガス、または前記半導体プロセスガスのうちいずれか一つのガスを、前記ガス流通口のうちの一方から前記ガス容器内へ注入するとともに、他方の前記ガス流通口から排出する流通パージ処理を行うことによって前記ガス容器内のガスを置換した後、前記半導体プロセスガスを前記ガス容器に充填することを特徴とするガス容器へのガス充填方法。
IPC (3件)：
F17C 5/02
, F17C 3/00
, H01L 21/3065
F17C 5/02 Z
, F17C 3/00 Z
, H01L 21/302 B
3E072AA10
, 3E072CA03
, 3E072DA06
, 3E073AA10
, 3E073DA03
, 3E073DA04
, 5F004AA16
, 5F004BC03
, 5F004BC08
