特許

J-GLOBAL ID：200903029059635380

半導体装置の製造方法

発明者： 田中 愼一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-053988
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259130
出願日： 1992年03月13日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：

【要約】【目的】 従来の化学反応的なドライエッチングでは加工が困難な半導体層を含む半導体装置でも、容易に精度のよい加工を可能にする。【構成】 化学反応的なドライエッチングが困難な半導体層51をイオンミリングなどの物理的ドライエッチングで加工し、次いで半導体層53に対してエッチング選択性をもつ化学反応ドライエッチングを用いて半導体層52をエッチングすることにより、前記物理エッチングで生じたエッチングマスク周辺の溝をなくすことができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に少なくとも三層の半導体層が積層された半導体装置であり、上層から順に第1の半導体層、第2の半導体層および第3の半導体層の各半導体層を含む半導体装置の製造工程において、エッチングイオンの運動エネルギーにより半導体構成元素を脱離させる物理的エッチングを主要なエッチング機構とする第1のエッチングを用いて、前記第1の半導体層を除去する工程と、次いでエッチングイオンと半導体構成元素との反応生成物の脱離させる化学反応エッチングが前記第1のエッチングと比較して主要なエッチング機構であり、かつ前記第3の半導体層に対して前記第2の半導体層を選択的にエッチングする第2のエッチングを用いて、前記第3の半導体層を露出させる工程とを含むことを特徴とする半導体の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/302 ,  H01L 29/205 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-160733
  
• 特開平3-225302
  
• 特開平1-179482