特許
J-GLOBAL ID：200903029059916037
レジストパターンの形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石田 敬 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-061085
公開番号（公開出願番号）：特開平8-262701
出願日： 1995年03月20日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 化学増幅レジストを用いレジストパターンを形成する時、ポジ型レジストの基板付近での裾引きやネガ型レジストの基板付近での喰込み発生を防止できるようなレジストパターン形成方法を提供する。【構成】 Si基板1上にBPSGの下地膜2を形成し、その上に非晶質オレフィン類の重合体か共重合体またはそれらの誘導体からなる疎水性材料皮膜3を1μm厚さにスピン塗布した後、基板を熱板上で90°Cに予備加熱し、さらにポジ型化学増幅レジスト膜5を塗布し、前と同様に加熱した。次いでKrFレーザ光を用いて前記レジスト5をパターン露光後、直に熱板10上で90°Cで1分間加熱処理した。その後2.38%TMAH水溶液で現像し、レジスト膜5の点線で示される露光部が溶解除去された。SEMで観察したが基板付近にレジストが張出した裾引き形状の発生は認められなかった。
請求項（抜粋）：
化学増幅レジストを用いて被処理基板上にレジストパターンを形成する方法において、化学増幅レジストを被処理基板上に塗布する前、その被処理基板上に疎水性材料の皮膜を予め形成しておくことを特徴とするレジストパターンの形成方法。
IPC (4件)：
G03F 7/004 503
, G03F 7/11 503
, G03F 7/38 501
, H01L 21/027
G03F 7/004 503
, G03F 7/11 503
, G03F 7/38 501
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
