特許
J-GLOBAL ID：200903029061439351
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-161252
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013411
出願日： 1991年07月02日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：
【要約】【目的】 本発明は多層アルミ合金配線の上層のアルミ合金膜の成膜方法に関するものである。【構成】第2のアルミ合金膜5を形成後、高周波プラズマ中でスパッタエッチングを行ない、ビアホール4内のアルミナ層2を除去した後、上層の配線となる第3のアルミ合金膜6を成膜する。【効果】上層と下層のアルミ合金膜の接続部にアルミナ層又は層間酸化膜の際付着層を形成することなく接続が可能であり、ビアホールの抵抗の低下および高信頼性の確保ができる。
請求項（抜粋）：
2層以上のアルミ合金配線を有する半導体装置の下層のアルミ合金配線上の層間絶縁膜に接続口を開口後、該接続口を覆う上層のアルミ合金膜を成膜する方法において、該接続口を覆う第1の導電膜を成膜する工程と、高周波プラズマ中でスパッタエッチングを行なう工程と、第2の導電膜を成膜する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3205
, C23F 4/00
, H01L 21/28 301
H01L 21/88 R
, H01L 21/88 N
