特許

J-GLOBAL ID：200903029065603660

半導体装置とその製造方法

発明者： 青山 将茂 ,  谷口 敏光
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-170294
公開番号（公開出願番号）：特開平10-022499
出願日： 1996年06月28日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：

【要約】【課題】 ソース・ドレインの接合容量を低減することにより一層の高速化と下と長の短縮を両立させる。【解決手段】 比例縮小則によりP型半導体層の不純物濃度を増大する。P型半導体層11表面にゲート電極14、N-ソース・ドレイン領域16、N+ソース・ドレイン領域、を形成し、更にソース・ドレイン領域の底部に接するようにN-低濃度層18を形成する。低濃度層18はN+ソース・ドレイン領域17より後退させる。

請求項（抜粋）：

一導電型の半導体層と、前記一導電型の半導体層の表面にゲート絶縁膜を介して形成したゲート電極と、前記一導電型の半導体層の表面に形成した逆導電型の高濃度ソース・ドレイン領域と、前記高濃度ソース・ドレイン領域に重畳し前記ゲート電極下部のチャンネル部に隣接する、逆導電型の低濃度ソース・ドレイン領域と、前記高濃度ソース・ドレイン領域と前記一導電型の半導体層との間に埋め込まれた、前記高濃度ソース・ドレイン領域よりは低不純物濃度の低濃度層を具備し、且つ前記低濃度層は、前記ゲート電極に対して前記高濃度ソース・ドレイン領域より突出しないことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 301 L ,  H01L 29/78 301 S