特許
J-GLOBAL ID：200903029066652614
結晶性半導体作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-112394
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335548
出願日： 1995年04月12日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：
【要約】【目的】 結晶化を助長する触媒元素を用いて、通常の固相成長温度よりも低い温度・短時間、例えば、550°C程度、4時間程度の加熱処理で結晶性珪素を得る方法において、触媒元素の導入量を均一に制御する。【構成】 非晶質珪素膜が形成された試料103を真空チャンバー101に置き、ビスシクロペンタジエニルニッケルやビスメチルシクロペンタジエニルニッケル、ビス-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオノニッケル等の有機ニッケル蒸気あるいはガスをチャンバー内に導入して、これを熱分解することによって、ニッケルもしくはその化合物の被膜を試料の非晶質珪素膜上に極めて均一に堆積させる。その後、試料を、適切な温度・時間、例えば、550°C、4時間の加熱処理をおこなうことにより、結晶性珪素膜を得る。上記構成におて、ニッケルもしくはその化合物の被膜は極めて薄く、かつ、均一であるので、非晶質珪素膜の結晶化が均一に進行する。
請求項（抜粋）：
非晶質珪素膜を有する基板をチャンバー内に配置する第1の工程と、チャンバー内に非晶質珪素膜の結晶化を助長する触媒元素を有する有機金属の蒸気もしくはガスを導入する第2の工程と、前記蒸気もしくはガスを熱分解することにより、前記非晶質珪素膜表面に触媒元素金属もしくはその化合物の被膜を堆積する第3の工程と、前記非晶質珪素膜を加熱処理することによる結晶化させる第4の工程と、を有する結晶性半導体作製方法。
IPC (4件)：
H01L 21/20
, H01L 27/12
, H01L 29/786
, H01L 21/336
