特許
J-GLOBAL ID:200903029068935567
膜形成用組成物、その製造方法および層間絶縁膜用材料
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-158673
公開番号(公開出願番号):特開2000-256621
出願日: 1999年06月04日
公開日(公表日): 2000年09月19日
要約:
【要約】【目的】 半導体素子等における層間絶縁膜として適当な、均一な厚さを有する塗膜が形成可能な、しかも誘電率特性等に優れた膜形成用組成物を得る。【構成】 (A)下記一般式(1)で表される化合物の加水分解物および/またはその部分縮合物、R1nSi(OR2)4-n (1)(R1およびR2 は、同一でも異なっていても良く、それぞれ炭素数1〜5のアルキル基または炭素数6〜20のアリール基を示し、nは0〜2の整数を表す。)(B)下記一般式(2)で表される金属キレート化合物、R3tM(OR4)s-t (2)(R3 はキレート剤、M金属原子、R4 は炭素数2〜5のアルキル基または炭素数6〜20のアリール基を示し、sはMの原子価、tは1〜sの整数を表す。)(C)プロピレングリコールモノアルキルエーテルおよび(D)β-ジケトンを含むことを特徴とする膜形成用組成物。
請求項(抜粋):
(A)下記一般式(1)で表される化合物の加水分解物および/またはその部分縮合物、R1nSi(OR2)4-n (1)(R1およびR2 は、同一でも異なっていても良く、それぞれ炭素数1〜5のアルキル基または炭素数6〜20のアリール基を示し、nは0〜2の整数を表す。)(B)下記一般式(2)で表される金属キレート化合物、R3tM(OR4)s-t (2)(R3 はキレート剤、M金属原子、R4 は炭素数2〜5のアルキル基または炭素数6〜20のアリール基を示し、sはMの原子価、tは1〜sの整数を表す。)(C)プロピレングリコールモノアルキルエーテルおよび(D)β-ジケトンを含むことを特徴とする膜形成用組成物。
IPC (12件):
C09D183/04
, C08K 5/06
, C08K 5/07
, C08K 5/56
, C08L 83/04
, C09D 5/25
, C09D 7/12
, H01L 21/312
, H01L 21/316
, H05K 1/03 610
, H05K 1/03
, H05K 3/46
FI (12件):
C09D183/04
, C08K 5/06
, C08K 5/07
, C08K 5/56
, C08L 83/04
, C09D 5/25
, C09D 7/12 Z
, H01L 21/312 C
, H01L 21/316 G
, H05K 1/03 610 H
, H05K 1/03 610 S
, H05K 3/46 T
Fターム (35件):
4J002CP031
, 4J002EC076
, 4J002EE047
, 4J002GQ05
, 4J038DL021
, 4J038DL031
, 4J038JA23
, 4J038JA26
, 4J038JA34
, 4J038JC32
, 4J038JC38
, 4J038NA21
, 4J038PB09
, 5E346AA02
, 5E346AA12
, 5E346CC08
, 5E346DD03
, 5E346HH01
, 5E346HH11
, 5E346HH13
, 5F058AA03
, 5F058AA10
, 5F058AC03
, 5F058AF04
, 5F058AG01
, 5F058AH01
, 5F058AH02
, 5F058BA06
, 5F058BA20
, 5F058BC02
, 5F058BC05
, 5F058BF46
, 5F058BH01
, 5F058BJ01
, 5F058BJ02
引用特許:
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