特許
J-GLOBAL ID：200903029069640994
磁気抵抗素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-143495
公開番号（公開出願番号）：特開平8-018117
出願日： 1994年06月24日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：
【要約】【目的】 高感度磁場センサおよび磁気ヘッドを構成できる磁気抵抗素子を提供するものである。【構成】 基板上に斜め入射製膜法により薄膜を製膜することで表面に微細形状が形成され、その上に磁性層と非磁性層が交互に積層され、微細形状の効果によって磁性層に形状異方性を持つことにより高感度となった磁気抵抗素子。
請求項（抜粋）：
基板上に第一層が、金属、絶縁体、誘電体、および半導体のうち一種からなる、平均粒径1μm以下の薄膜が斜め入射製膜法により作製されることによって、前記基板表面に、基板面内に1ミクロン以下で表面平均凹凸1〜100nmの多結晶膜からなり、前記第一層に磁性層および非磁性層からなる多層膜が形成されていることを特徴とする磁気抵抗素子。
IPC (2件)：
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