特許

J-GLOBAL ID：200903029071111516

高耐熱性高純度ポリアリレート及びそれからなるフィルム

発明者： 藤原 正明 ,  岸本 聡一郎 ,  大脇 隆正 ,  高木 伸哉 ,  佐藤 光伸 ,  濱田 知宏 ,  長谷川 明彦
出願人/特許権者： ユニチカ株式会社
代理人 (1件)： 三浦 良和
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP1998004495
公開番号（公開出願番号）：WO1999-018141
出願日： 1998年10月05日
公開日（公表日）： 1999年04月15日
要約：

【要約】本発明は、二価フェノールが9,9-ビス(アルキル置換-4-ヒドロキシフェニル)フルオレン残基とビスフェノール残基からなり、前者のモル分率が0.05〜1の範囲にあり、かつ、カルボン酸成分がテレフタル酸残基とイソフタル酸残基から構成され、インヘレント粘度が、0.25〜2.50の範囲にあるポリアリレート及びこれらから溶液キャスト法により得られる耐摩耗性、耐熱性に優れ、高透明性で且つ複屈折の入射角依存性が少ないポリアリレートフィルムである。これらは、耐摩耗性、耐熱性、純度が高く、透明性、低複屈折性など光学的特性に優れ、電気・電子および光学分野、自動車分野に成形材料として、また電気機器、発電機、抵抗器、層間絶縁などの絶縁材料、変圧器、電線の被覆、コンデンサーなどの誘電体フィルム、液晶表示板などの各種基板などにフィルムとして表面被覆剤などに応用可能である。

請求項（抜粋）：

2価フェノール成分が、(a)一般式(1)で表される9,9-ビス(アルキル置換-4-ヒドロキシフェニル)フルオレン残基:(式中、R、R’は炭素数1〜4のアルキル基から選ばれ、p、qは1〜4の整数を表す。)及び必要により加えられる(b)一般式(2)で表される2価フェノール残基および/またはジオキシベンゼン残基:(式中、R1、R2、R3およびR4は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、炭化水素基、ニトロ基からなる群から選ばれ、炭化水素基は炭素数1〜20の脂肪族基、炭素数3〜20の脂環族基、炭素数6〜20の芳香族基からなる群から選ばれる。Xは、単結合、酸素原子、硫黄原子、アルキレン基、アルキリデン基、シクロアルキレン基、シクロアルキリデン基、ハロ置換アルキレン基、ハロ置換アルキリデン基、フェニルアルキリデン基、置換フェニルアルキリデン基、カルボニル基、スルホニル基、カルボキシルアルキレン基、カルボキシルアルキリデン基、アルコキシカルボニルアルキレン基、アルコキシカルボニルアルキリデン基、フルオレン基、イサチン基、アルキルシラン基、ジアルキルシラン基からなる群から選ばれる。)からなり、(a)及び(b)のモル分率が、 0.05≦[(a)/{(a)+(b)}]≦1.00の範囲にあり、かつ、ジカルボン酸成分がテレフタル酸残基10〜90モル%およびイソフタル酸残基90〜10モル%から構成されるポリアリレートであり、1,1,2,2-テトラクロロエタンを溶媒とする濃度1.0g/dlのポリアリレート溶液の25°Cにおけるインヘレント粘度(ηinh.)が 0.25≦ηinh.≦

IPC (2件)：

C08G 63/193 ,  C08J 5/18