特許
J-GLOBAL ID：200903029076113274
半導体デバイスの改良
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
飯田 伸行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-021415
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209432
出願日： 1998年01月19日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：
【要約】【課題】従来半導体デバイスの改良。【解決手段】絶縁型ゲートバイポーラトランジスタにおいて、シリコンのp領域にゲートを溝として設ける。動作時に、p領域内の溝底部に反転層を作ることによって形成された仮想エミッターをもつサイリスターモードで動作する。デバイスは安全性が高く、ゲート信号を取り去るとエミッターが潰れ、直ちにターン・オフする。溝ゲートをp領域内に設けているため、ターン・オフ時の高電圧に耐え、逆電界が溝ゲートに達することはない。
請求項（抜粋）：
動作領域の第1面から一つかそれ以上の溝を延設し、上記溝の壁領域に設けた、第1導電率形の第1半導体領域に反転層を形成する電界効果ゲート電極によって両端の電流が制御可能な少なくとも一つのpn接合を配設し、上記第1面から離れている上記溝の少なくとも底部分を上記第1半導体領域に設けるとともに、上記第1領域と上記の第1導電率形であるアノードとの間に設けた第2導電率形の第2半導体領域に上記第1領域を隣接配設し、使用のさいに上記ゲート電極を動作させて、上記反転層によって上記第1領域および上記第2領域へのキャリヤ注入を開始することによって、上記反転層が存在している間、この反転層がサイリスターのエミッターとして作用するサイリスター作用を発生する半導体トレンチデバイス。
IPC (2件)：
FI (5件)：
H01L 29/74 N
, H01L 29/78 652 K
, H01L 29/78 653 A
, H01L 29/78 654 Z
, H01L 29/78 655 Z
