特許
J-GLOBAL ID：200903029080905487

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者：
栄森 貴尚

栄森 貴尚 について

, 
木村 広嗣

木村 広嗣 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 葛野 信一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-011624
公開番号（公開出願番号）：特開平9-205185
出願日： 1996年01月26日
公開日（公表日）： 1997年08月05日
要約：
【要約】【課題】 シリコン窒化膜によるセルフアラインコンタクトを使用した半導体装置において、このシリコン窒化膜を貫いて層間の導通路を設ける。【解決手段】 メモリセルアレイ部の周辺で層間の導通路が必要な回路領域において、セルフアラインコンタクト時のシリコン窒化膜を除去した後に層間酸化膜を形成するか、シリコン窒化膜の上に層間酸化膜を形成した後に層間酸化膜とシリコン窒化膜とを開口して導通路を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、この半導体基板の主面に被着された絶縁膜と、この絶縁膜の中で前記半導体基板の主面近傍に配設されコンタクト部を有する導電部と、前記絶縁膜の中に配設され前記半導体基板の主面と前記導電部とを覆うシリコン窒化膜と、前記絶縁膜と前記シリコン窒化膜とを貫いて前記導電部のコンタクト部に至る導通路とを備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/768
FI (4件)：
H01L 27/10 625 A ,  H01L 21/90 B ,  H01L 27/10 625 B ,  H01L 27/10 681 F
引用特許：
審査官引用 (12件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM