特許
J-GLOBAL ID：200903029081112847
液晶表示装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-173843
公開番号（公開出願番号）：特開平7-028090
出願日： 1993年07月14日
公開日（公表日）： 1995年01月31日
要約：
【要約】【目的】 この発明は、信号線駆動回路のホールド容量の小面積化と周波数特性を確保した小型で高性能の駆動回路一体型のアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供することを目的とする。【構成】 この発明は、信号線駆動回路のホールド容量として、下電極は駆動回路で用いている薄膜トランジスタの半導体活性層と同じ層に不純物をドープして金属化した層とし、絶縁膜は薄膜トランジスタのゲート絶縁膜と同じ絶縁膜とし、上電極は薄膜トランジスタのゲート電極と同じ層としたMIM型容量を構成することによって上記目的を達成するものである。
請求項（抜粋）：
基板上に規則的に配列された多数のゲート線とソース線、及び前記ゲート線とソース線との交点に設けられたスイッチング用薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタを順次駆動するための信号線走査駆動回路及びゲート線走査駆動回路を少なくとも備えた液晶表示装置において、上記信号線駆動回路はソース電極、ドレイン電極、半導体活性層、ゲート絶縁層及びゲート電極を少なくとも備えた映像信号書き込み用薄膜トランジスタと、下電極-絶縁膜-上電極からなるMIM型容量とから成るサンプルホールド回路を少なくとも備え、前記MIM型容量の下電極は前記薄膜トランジスタの半導体活性層材に不純物をドープした金属化層からなり、前記MIM型容量の絶縁膜は前記薄膜トランジスタのゲート絶縁層材からなり、前記MIM型容量の上電極は前記薄膜トランジスタのゲート電極材からなることを特徴とする液晶表示装置。
IPC (3件)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/136 510
, G09G 3/36
