特許

J-GLOBAL ID：200903029083232670

有機半導体装置

発明者： 水島 彩子 ,  山本 景壽 ,  平野 孝
出願人/特許権者： 住友ベークライト株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-221991
公開番号（公開出願番号）：特開2005-064496
出願日： 2004年07月29日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：

【課題】 作業性に優れた絶縁膜を用い、信頼性が高く低コストである有機半導体装置を提供する。【解決手段】 絶縁性基板1上にゲート電極2を形成し、その上にゲート絶縁膜3として有機ポリマー樹脂組成物膜を形成する。ゲート電極は、真空蒸着法、CVD法等、用いる材料により適当な方法を選択し、用いる絶縁性基板の耐熱温度を考慮して、プロセス温度を考慮して形成することが好ましい。有機ポリマー樹脂組成物膜で構成されるゲート絶縁膜3上にソース電極4、ドレイン電極5を形成する。ソース/ドレイン電極は有機ポリマー樹脂組成物膜で構成されるゲート絶縁膜3によりゲート電極と電気的に分離した状態で形成する。有機ポリマー樹脂組成物膜で構成されるゲート絶縁膜3、ソース電極4、ドレイン電極5上に有機半導体層6を形成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

有機ポリマー樹脂組成物(A)で構成されてなるゲート絶縁膜の一方の面にゲート電極(B)、他の一方の面にソース電極(C)、ドレイン電極(D)、及び有機半導体層(E)とを有してなることを特徴とする有機半導体装置。

IPC (4件)：

H01L29/786 ,  H01L21/312 ,  H01L21/336 ,  H01L51/00

FI (5件)：

H01L29/78 617T ,  H01L21/312 B ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617V ,  H01L29/28

Fターム (37件)：

5F058AA02 ,  5F058AA10 ,  5F058AC02 ,  5F058AD04 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH01 ,  5F110AA14 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE43 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110GG05 ,  5F110GG24 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HL03 ,  5F110HL22 ,  5F110NN04 ,  5F110NN27 ,  5F110QQ06

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 有機半導体素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-259164   出願人：コニカ株式会社

審査官引用 (5件)

• 結晶成長方法、及びそれにより得られる結晶を用いた機能素子ディバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-178011   出願人：富士ゼロックス株式会社
• 特開平4-309927
  
• ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-068097   出願人：住友ベークライト株式会社
• ポジ型感光性樹脂膜上への金属膜の形成方法及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-086928   出願人：住友ベークライト株式会社
• 特開平4-309927