特許
J-GLOBAL ID：200903029087139380
半導体製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-332128
公開番号（公開出願番号）：特開平5-166827
出願日： 1991年12月16日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：
【要約】【構成】 ツェナーダイオードを内蔵したトランジスタを有する半導体の製造方法において、バイポーラトランジスタのエミッタ層拡散終了後に、ツェナーダイオードの高濃度拡散を行うことを特徴とする半導体製造方法。【効果】 バイポーラトランジスタの電流増幅率hFEと、ツェナーダイオードのツェナー耐圧を別々に精度良くコントロールすることが可能となる。
請求項（抜粋）：
ツェナーダイオードを内蔵したトランジスタよりなる半導体の製造方法において、バイポーラトランジスタのエミッタ層拡散終了後に、ツェナーダイオードの高濃度拡散を行うことを特徴とする半導体製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/90
