特許
J-GLOBAL ID：200903029089703780
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-256912
公開番号（公開出願番号）：特開平10-107219
出願日： 1996年09月27日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：
【要約】【課題】MOSトランジスタの拡散層に直接に接続されてコンタクト・プラグとして機能するシリコン層を提供する。【解決手段】窒化シリコン膜スペーサ114およびフィールド酸化膜105に自己整合的なN- 型拡散層113a,113bの表面には異方性選択エピタキシャル成長によるN+ 型の単結晶シリコン層116a,116bが直接に接続され、これらN+ 型の単結晶シリコン層116a,116bの表面は等方性選択エピタキシャル成長によるN+ 型の単結晶シリコン層117a,117bにより直接に覆われている。
請求項（抜粋）：
主表面が{100}からなる一導電型のシリコン基板の表面に設けられた〈110〉方向の辺により区画された活性領域と、該活性領域を囲んで該シリコン基板の表面の素子分離領域に設けられたLOCOS型のフィールド酸化膜とを有し、前記活性領域の表面に設けられたゲート酸化膜を介して該活性領域の表面上を〈110〉方向に横断するゲート電極と、該ゲート電極の上面を直接に覆う酸化シリコン膜キャップと、該ゲート電極および該酸化シリコン膜キャップの側面を直接に覆う窒化シリコン膜スペーサとを有し、前記ゲート電極および前記フィールド酸化膜に自己整合的に前記活性領域の表面に設けられた逆導電型拡散層と、前記窒化シリコン膜スペーサ並びに該フィールド酸化膜に自己整合的な該逆導電型拡散層の表面を直接に覆い,{110}面からなる側面および主たる面が{100}面からなる上面を有した逆導電型の単結晶シリコンからなる第1のシリコン層と、該第1のシリコン層の上面並びに側面を直接に覆って少なくとも前記酸化シリコン膜キャップおよび該フィールド酸化膜の上面に延在する逆導電型の第2のシリコン層とからなる逆導電型のソース・ドレイン領域を有し、前記フィールド酸化膜,酸化シリコン膜キャップ,窒化シリコン膜スペーサおよび第2のシリコン層を覆う層間絶縁膜と、該層間絶縁膜に設けられた該第2のシリコン層の上面に達するコンタクト孔と、該コンタクト孔を介して前記ソース・ドレイン領域に接続される該層間絶縁膜の表面上に設けられた配線とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 21/768
, H01L 29/78
H01L 27/10 681 B
, H01L 21/90 D
, H01L 27/10 621 B
, H01L 29/78 301 X
