特許

J-GLOBAL ID：200903029095223404

基準電圧発生回路

発明者： 岡崎 孝男
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 徳若 光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-258979
公開番号（公開出願番号）：特開平6-083467
出願日： 1992年09月02日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：

【要約】【目的】 簡単な構成により温度補償された基準電圧を得ることができる基準電圧発生回路を提供する。【構成】 ソースとゲートが接続されたディプレッション型の第1のMOSFETにより定電流を形成し、それを反対導電型のMOSFETからなる電流ミラー回路を通して上記第1のMOSFETと同一導電型からなり、ゲートとドレインが接続された第2のMOSFETに流すようにし、そのゲートとソース間電圧を出力定電圧とするとともに、上記電流ミラー回路の電流比により出力定電圧の温度補償を行う。【効果】 ディプレッョン型MOSFETと、それと同一導電型のエンハンスメント型MOSFET及び電流ミラー回路を構成する一対のMOSFETからなる極めて簡単な回路により温度補償された基準電圧を得ることができる。

請求項（抜粋）：

ソースとゲートが接続されて定電流動作を行うディプレッション型の第1のMOSFETと、このMOSFETにより形成された定電流を受け、反対導電型のMOSFETからなる電流ミラー回路と、この電流ミラー回路の出力電流が流れるようにされ、上記第1のMOSFETと同一導電型からなり、ゲートとドレインが接続された第2のMOSFETとを含み、上記第2のMOSFETのゲートとソース間電圧を出力定電圧とするとともに、上記電流ミラー回路の電流比ににより出力定電圧の温度補償を行うことを特徴とする基準電圧発生回路。

IPC (3件)：

G05F 3/24 ,  H03F 1/30 ,  H03F 3/343

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特表平2-502136
  
• 特開昭62-072019
  
• 特開平2-245810