特許
J-GLOBAL ID：200903029095653727
半導体圧力センサ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 祐介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-336710
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163946
出願日： 1992年11月24日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：
【要約】【目的】 ピエゾ抵抗体となる抵抗領域が形成された付近の薄肉部の厚さは薄くすることなく、微圧センサと称される高感度型半導体圧力センサのより一層の感度向上と強度向上を目指す。【構成】 シリコン単結晶基板1の裏面に、島状凸部3が残るように凹部2をエッチングにより形成し、この裏面凹部2によって形成された薄肉部に対して表面側より不純物拡散してピエゾ抵抗体となる抵抗領域4を設け、さらに、表面側より、この抵抗領域4付近を除いて上記薄肉部をさらに薄くするための少なくとも2段の凹部5をエッチングにより形成し、上記の抵抗領域4を、この表面凹部5以外の部分、つまり表面からのエッチングによって残ったことにより形成された凸部6の上に位置させる。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、該基板の裏面において島状凸部が残るように形成された裏面凹部と、該裏面凹部によって形成される薄肉部において表面側より形成された抵抗領域と、該抵抗領域付近を除いて上記薄肉部をさらに薄くするため表面側に設けられた少なくとも2段の表面凹部とを具備することを特徴とする半導体圧力センサ。
IPC (2件)：
H01L 29/84
, G01L 9/04 101
