特許
J-GLOBAL ID：200903029103123350
光半導体回路及びそれを構成するための光モジュール及び電源回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石田 敬 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-144725
公開番号（公開出願番号）：特開平7-074420
出願日： 1994年06月27日
公開日（公表日）： 1995年03月17日
要約：
【要約】【目的】 半導体レーザダイオードと光変調器を共通の導体上に形成したMI-DFB-LDの駆動回路において、変調器の駆動信号が半導体レーザダイオードに影響しないようにして、出力光の波長の広がりを低減することを目的とする。【構成】 半導体レーザダイオード1と、変調信号の印加によって半導体レーザダイオード1の出力光を変調する光変調器2と、半導体レーザダイオード1の電極に接続され高周波に対して抵抗として動作する抵抗手段5と、半導体レーザダイオード1の一方の電極と光変調器2の一方の電極とを共通に接続する共通接続手段3と、共通接続手段3に接続されたインピーダンス手段又は反射手段8と、インピーダンス手段又は反射手段8に接続される接地電位とを有する。
請求項（抜粋）：
半導体レーザダイオード(1)と、前記半導体レーザダイオードの出力光を変調する光変調器(2)と、前記半導体レーザダイオードを発光させるためのバイアス電流が入力される前記半導体レーザダイオードの電極に接続され、少なくとも高周波では抵抗として動作する抵抗手段(5)と、前記半導体レーザダイオードと前記光変調器のそれぞれの接地端子を共通に接続する共通接続手段(3)と、前記共通接続手段に接続されたインピーダンス手段又は反射手段(8)と、前記インピーダンス手段又は反射手段に接続された接地電位とを備えることを特徴とする光半導体回路。
IPC (2件)：
引用特許：
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