特許

J-GLOBAL ID：200903029110473200

光デバイスおよびその製造方法

発明者： 松葉 聡
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (4件)： 長谷川 芳樹 ,  塩田 辰也 ,  寺崎 史朗 ,  柴田 昌聰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-226452
公開番号（公開出願番号）：特開2004-071713
出願日： 2002年08月02日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：

【課題】電極の剥離を防止できる構造を有する光デバイスおよびその製造方法を提供する。【解決手段】光集積デバイス1は、発光素子部2a、変調素子部2b、および分離部2cを備える。発光素子部2a、変調素子部2bおよび分離部2cは、基板2上に形成されている。発光素子部2a、変調素子部2b、および分離部2cは、トレンチ溝17により画定され、メサ形状を有している。また、これらは樹脂埋込部24により埋め込まれている。発光素子部2aのための電極28は、発光素子部2aのコンタクト層22に接するとともに、樹脂埋込部24に埋め込まれている。変調素子部2bのための電極58は、変調素子部2bのコンタクト層54に接するとともに、樹脂埋込部24に埋め込まれている。そのため、電極28,58の剥離が防止される。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

光を発生する活性層と、前記活性層が間に配置されるよう設けられたクラッド層とを含み、III-V族化合物半導体から構成される半導体メサ部と、 前記半導体メサ部に接続する電極と、 樹脂から構成され、前記半導体メサ部を埋め込む樹脂埋込部と、 を備え、 前記樹脂埋込部の上面には凹部が設けられており、 前記凹部は前記電極で埋め込まれている、光デバイス。

IPC (4件)：

H01S5/042 ,  G02F1/025 ,  G02F1/035 ,  H01S5/227

FI (4件)：

H01S5/042 612 ,  G02F1/025 ,  G02F1/035 ,  H01S5/227

Fターム (24件)：

2H079AA02 ,  2H079AA12 ,  2H079BA01 ,  2H079CA04 ,  2H079DA03 ,  2H079DA16 ,  2H079EA03 ,  2H079EA05 ,  2H079EA07 ,  2H079EB04 ,  2H079JA03 ,  2H079JA07 ,  5F073AA22 ,  5F073AA64 ,  5F073AA72 ,  5F073AB21 ,  5F073BA01 ,  5F073CA12 ,  5F073CB02 ,  5F073CB11 ,  5F073DA05 ,  5F073DA16 ,  5F073EA14 ,  5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-356423   出願人：東芝電子エンジニアリング株式会社, 株式会社東芝
• 特開昭62-252180
  
• 特開昭60-008820