特許
J-GLOBAL ID：200903029117357400

半導体レーザ素子及びその製造方法

発明者：
幡 俊雄

幡 俊雄 について

, 
伊藤 茂稔

伊藤 茂稔 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-117948
公開番号（公開出願番号）：特開平11-312840
出願日： 1998年04月28日
公開日（公表日）： 1999年11月09日
要約：
【要約】【課題】 窒化ガリウム系化合物半導体からなる半導体レーザ素子の素子寿命を長くし、さらに半導体レーザ素子の直列抵抗を低減することは、従来困難であった。【解決手段】 本発明によれば、窒化ガリウム系化合物半導体上に導電性選択成長マスクを形成し、導電性選択成長マスク上に少なくとも一対のクラッド層及び活性層を形成してなる窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子において、導電性選択成長マスクを電流通路として機能する素子構造とすることにより、閾値電流値の低減及び信頼性の優れた電流阻止型窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子を実現できる。
請求項（抜粋）：
基板と、窒化ガリウム系化合物半導体からなるコンタクト層と、前記コンタクト層の上方に形成されたストライプ状の導電性選択成長マスクと、前記導電性選択成長マスク上に形成された少なくとも一対のクラッド層と、該クラッド層に挟まれた少なくとも一層の活性層とを含む窒化ガリウム系化合物半導体からなる積層体と、を含むことを特徴とする半導体レーザ素子。
引用特許：
審査官引用 (4件)
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