特許

J-GLOBAL ID：200903029128396555

化合物半導体FET及びその製造方法

発明者： 松村 隆男
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-323880
公開番号（公開出願番号）：特開平6-177162
出願日： 1992年12月03日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：

【要約】【目的】リセス領域内にリセス端から離れて形成されたゲート電極を有する化合物電界効果トランジスタ(FET)において、ワイドリセス深さを増大してゲート・ドレイン耐圧(BVgd)を向上させた時、同時にソース抵抗Rsも増大し相互コンダクタンス(Gm)の低下を招く。この現象を改善する。【構成】リセス領域内にリセス端から離れて形成されたゲート電極を有する化合物半導体FETにおいて、リセス内部に形成されたゲート金属11の、ソース側のリセス12とドレイン側のリセス13をそれぞれ独立に形成し、ドレイン側に比べてソース側のリセス深さを浅くすることにより、高耐圧を維持したままで高い相互コンダクタンス(Gm)を有するFETを得ることが出来る。

請求項（抜粋）：

リセス領域内にリセス端から離れて形成されたゲート電極を有する化合物半導体電界効果トランジスタにおいて、ゲート金属のソース側のリセス深さがドレイン側のリセス深さに比べ浅いことを特徴とする化合物半導体FET。

IPC (2件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-187665
  
• 特開昭61-199670
  
• 特開平1-051666
  
• 特開昭56-054074