特許
J-GLOBAL ID:200903029128615095

電子放出素子及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 横川 邦明 (外1名) ,  横川 邦明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-264164
公開番号(公開出願番号):特開平7-099024
出願日: 1993年09月28日
公開日(公表日): 1995年04月11日
要約:
【要約】【目的】 コーン形のように特に高精度の製造技術を必要とせず、完成した各素子の破損によるショートの発生も起き難いようにでき、さらに、エッジ形の場合よりも優れた電気的特性並びに電子放出に関する均一性及び安定性を有する電子放出素子を提供する。【構成】 例えば長方形状に形成された複数の張出し部11aを放射状又は求心状に並べることによって形成されたエミッタ1と、そのエミッタ1の近傍に設けられていてそのエミッタ1に電界を印加するゲート2とを有する電子放出素子及びその製造方法。エミッタ1の各張出し部11aの先端には、3次元的に突出してその先端が鋭く尖った2個の尖端突起10aが形成される。ゲート2とエミッタ1間に電界をかけたとき尖端突起10aから集中的に電子が飛び出る。
請求項(抜粋):
基板上に形成されていて強電界の下で電子を放出するエミッタと、絶縁層を挟んでそのエミッタの近傍に設けられていてそのエミッタに電界を印加するゲートとを有する電子放出素子であって、上記ゲートは上記エミッタに対応する位置に円形穴又は多角形穴を有しており、そして上記エミッタは、上記ゲートに近い先端位置に2個の尖端突起を備えた張出し部をそのゲートに対してほぼ平行に複数個放射状に並べることによって形成されることを特徴とする電子放出素子。
IPC (2件):
H01J 1/30 ,  H01J 9/02

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