特許

J-GLOBAL ID：200903029129634140

モノリシック型光結合装置の製造方法

発明者： 花本 哲也
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 中村 恒久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-162763
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005906
出願日： 1992年06月22日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：

【要約】【目的】 受発光両素子の製作工程および実装工数を簡略化する。【構成】 ベースとなる半導体基板21に凹部22を設け、エピタキシャル成長にて光結合素子10を一度に形成した後、フォトリソグラフィ法およびエッチング手法を用いて発光素子11と受光素子12に分離する。受発光素子11,12の電極31,32を同一面上に形成し、導電バンプ47を形成し、接続を容易にする。

請求項（抜粋）：

発光素子と受光素子とを有する光結合装置の製造方法において、半導体基板の電極形成面またはこれと反対側の面に凹部を形成し、該凹部の表面上に、発光素子および受光素子としての光結合素子をエピタキシャル成長法により同時に一体形成し、前記電極形成面またはこれと反対側の面に、受発光素子間の一部を切り欠くように溝を形成し、該溝に透光性絶縁材料を充填して光路を形成し、発光素子と受光素子との間の透光性絶縁材料以外の部分をエッチングにて除去して受発光間を電気的に分離し、前記電極形成面に外部回路との接続用電極をパターン形成することを特徴とするモノリシック型光結合装置の製造方法。