特許

J-GLOBAL ID：200903029132652000

電子デバイスおよびその製造方法

発明者： 櫻井 正敏 ,  内藤 勝之
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-236007
公開番号（公開出願番号）：特開平10-150234
出願日： 1997年09月01日
公開日（公表日）： 1998年06月02日
要約：

【要約】【課題】 有機物を含有する薄膜と隣接する層とのエネルギー変換、あるいはエミッタの電子放出を効率良く行い、より実用性の高い電子デバイスを得る。【解決手段】 有機薄膜と隣接する層との接合界面の断面輪郭形状について、フラクタル次元の一つであるハウスドルフ次元とその物差し長を規定し、1.5≦D≦2.0のハウスドルフ次元を持つ素子界面を作成した有機薄膜素子。

請求項（抜粋）：

第1の電極と、該第1の電極上に設けられた有機材料を含有する層と、該有機材料含有層上に設けられた第2の電極層とを含む有機薄膜素子において、前記有機材料含有層の断面における隣接する層との界面の輪郭形状は、そのハウスドルフ次元Dが1.5≦D≦2.0で表わされることを特徴とする有機薄膜素子として使用される電子デバイス。

IPC (5件)：

H01L 51/00 ,  H01L 31/04 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/22 ,  H05B 33/26

FI (5件)：

H01L 29/28 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/22 ,  H05B 33/26 ,  H01L 31/04 D