充電回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：豊栖康弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-311852
公開番号（公開出願番号）：特開平9-163612
出願日： 1995年11月30日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：

【要約】【課題】内部ショートした二次電池を充電するときに過充電防止FETが過熱するのを防止する。内部ショートしていないが電池電圧が異常に低下した二次電池を正常に充電する。【解決手段】二次電池1と直列に接続した過充電防止FET3と過放電防止FET2が、二次電池1の電圧を検出する制御回路4にオンオフ制御される。過充電防止FET3のG-S間には、制御回路4の出力信号でオンオンに制御されるオンオフスイッチング素子5を接続している。オンオフスイッチング素子5の入力側に、過充電防止FET3のドレイン電圧の入力回路9を接続している。過充電防止FET3のドレイン電圧が高いときに、入力回路9でもってオンオフスイッチング素子5をオン状態として、過充電防止FET3を強制的にオフ状態とする。

請求項（抜粋）：

二次電池(1)と直列に、過充電を保護する過充電防止FET(3)と、過放電を防止する過放電防止FET(2)が接続されており、これ等の過充電防止FET(3)と過放電防止FET(2)は、二次電池(1)の電圧を検出する制御回路(4)にオンオフ制御され、さらに、過充電防止FET(3)のG-S間には、制御回路(4)の出力信号でオンオフに制御されるオンオフスイッチング素子(5)が接続されている充電回路であって、二次電池(1)の電圧が高レベル設定電圧よりも低くなると、制御回路(4)がオンオフスイッチング素子(5)をオフ状態に切り換えて、過充電防止FET(3)をオン状態として、二次電池(1)を充電可能な状態とするように構成されてなる充電回路において、オンオフスイッチング素子(5)の入力側に、過充電防止FET(3)のドレイン電圧の入力回路(9)が接続されており、過充電防止FET(3)のドレイン電圧が高いときに、オンオフスイッチング素子(5)がオン状態に切り換えられて、過充電防止FET(3)を強制的にオフ状態に保持するように構成されてなることを特長とする充電回路。

IPC (3件)：

H02J 7/00 , H01M 10/44 , H02J 7/10

FI (4件)：

H02J 7/00 A , H02J 7/00 S , H01M 10/44 Q , H02J 7/10 A

引用特許：

審査官引用 (1件)

負荷短絡保護回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-273299 出願人：富士通株式会社

前のページに戻る