特許

J-GLOBAL ID：200903029137102289

装飾クロムめっき皮膜の形成方法

発明者： 加藤 守 ,  竹内 宏充
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 松原 等
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-315843
公開番号（公開出願番号）：特開平6-146069
出願日： 1992年10月30日
公開日（公表日）： 1994年05月27日
要約：

【要約】【目的】 装飾クロムめっき皮膜において、クロムめっき層の付廻り性を低下させることなく、その下層のニッケルめっき層の腐食電位を高め、該ニッケルめっき層の腐食を防いでクロムめっき層の脱離の防止又は延期を図る。【構成】 銅基材1の表面に、半光沢ニッケルめっき層2、光沢ニッケルめっき層3、分散ストライクニッケルめっき層4及びクロムめっき層5を順に積層してなるマイクロポーラスクロムめっき皮膜6を形成する。分散ストライクニッケルめっき層4形成用のめっき浴中の銅イオン濃度を、光沢ニッケルめっき層3形成用のめっき浴中の銅イオン濃度より高くすることにより、光沢ニッケルめっき層3の腐食電位を基準としたときの分散ストライクニッケルめっき層4の腐食電位を10mV以上にする。

請求項（抜粋）：

第一ニッケルめっき層と、第一ニッケルめっき層上に形成した第二ニッケルめっき層と、第二ニッケルめっき層上に形成したクロムめっき層とを含む装飾クロムめっき皮膜の形成方法において、第二ニッケルめっき層形成用のめっき浴に含まれるニッケルイオンより標準電極電位の高い金属イオンの濃度を、第一ニッケルめっき層形成用のめっき浴に含まれるニッケルイオンより標準電極電位の高い金属イオンの濃度より高くしたことを特徴とする装飾クロムめっき皮膜の形成方法。