特許
J-GLOBAL ID：200903029148515682
イオンセンサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井島 藤治 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-283494
公開番号（公開出願番号）：特開平8-145941
出願日： 1994年11月17日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：
【要約】【目的】 イオン選択膜を被覆した樹脂により生じる測定誤差を低減若しくは消去できるイオンセンサを実現することを目的とする。【構成】 基板21と、基板21に形成された金属焼結膜22と、金属焼結膜22にゲート23Gが接続された電界効果トランジスタ23と、金属焼結膜22の表面を覆うイオン選択膜24と、周縁部の全て若しくは周縁部の大部分を含めて、イオン選択膜24の表面を露出させるようにして、金属焼結膜22又は電界効果トランジスタ23を覆う樹脂27とから構成する。
請求項（抜粋）：
貫通穴が穿設された基板と、該基板の貫通穴を介して連通するように該基板の両面に形成された金属焼結膜と、前記基板の一方の面側に配置され、前記基板の一方の面側の前記金属焼結膜にゲートが接続された電界効果トランジスタと、前記基板の他方の面側の前記金属焼結膜の表面を覆うイオン選択膜と、前記基板の一方の面側の前記金属焼結膜及び前記電界効果トランジスタを囲むようにして、前記基板の一方の面に接着された筒状部材と、該筒状部材内に充填され該筒状部材内の前記金属焼結膜の表面を覆う樹脂とからなり、前記イオン選択膜の表面を周縁部を含め露出させたことを特徴とするイオンセンサ。
FI (2件)：
G01N 27/30 301 V
, G01N 27/30 301 P
