特許

J-GLOBAL ID：200903029149007192

縦型電界効果トランジスタおよびその製造方法

発明者： 河越 弘和
出願人/特許権者： 関西日本電気株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-077107
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283432
出願日： 1992年03月31日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：

【要約】【目的】 縦型電界効果トランジスタのチャンネル長を長くすることなくベース層を深くし、dV/dt による破壊耐量を向上させる。【構成】 N型の半導体基板1上にP型エピ層2を形成し、基板1と同一導電型のN型拡散層3をゲート5下に基板1と接触するように形成し、基板と異なるP型のベース層4とそのベース層4内に基板と同じ導電型のソース領域となるN型拡散層6をゲート5をマスクに形成した縦型電界効果トランジスタとする。【効果】 チャンネル長を長くすることなくベース領域を深くすることができ、dV/dt による破壊耐量を向上させる。

請求項（抜粋）：

一導電型の半導体基板上に他導電型不純物層を有し、前記他導電型不純物層内に一導電型の拡散層を基板と接触するように有し、他導電型のベース領域をその表面にあるチャンネル形成部分が前記一導電型の拡散層内にあって前記他導電型不純物層に接続して形成されたことを特徴とする縦型電界効果トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 29/78 321 P ,  H01L 29/78 321 S