特許

J-GLOBAL ID：200903029150432441

高純度誘電体薄膜

発明者： 小木 勝実 ,  曽山 信幸 ,  善 秀喜
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 広瀬 章一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-024294
公開番号（公開出願番号）：特開平5-195227
出願日： 1992年01月16日
公開日（公表日）： 1993年08月03日
要約：

【要約】【目的】 高純度誘電体薄膜の提供【構成】 (1) 一般式 MTiO<SB>3</SB>(式中、MはBa,Ca,Mg,Sr,Nb,Bi,Cd,Ce,Laから選ばれる1種または2種以上の金属元素)で表わされるペロブスカイト型チタン酸化合物からなり、そのアルカリ金属不純物の含有量が1ppm以下であることを特徴とする誘電体薄膜。(2) 一般式 (M<SB>x</SB>Pb<SB>1-x</SB>)TiO<SB>3</SB> (式中、MはBa,Ca,Mg,Sr,Nb,Bi,Cd,Ceから選ばれる1種または2種以上の金属元素、xは0<x<1)で表わされるペロブスカイト型鉛含有チタン酸化合物からなり、そのアルカリ金属不純物の含有量が1ppm以下であることを特徴とする誘電体薄膜。【効果】上記ペロブスカイト型チタン酸化合物からなる高純度誘電体薄膜は、従来問題であったリーク電流が大幅に減少し、優れた誘電特性を示す。また膜の部位による特性変化が極めて少ない安定な膜が得られ、エレクトロニクスの分野等において広く用いることができる。

請求項（抜粋）：

一般式 MTiO3(式中、MはBa,Ca,Mg,Sr,Nb,Bi,Cd,Ce,Laから選ばれる1種または2種以上の金属元素)で表わされるペロブスカイト型チタン酸化合物からなり、そのアルカリ金属不純物の含有量が1ppm以下であることを特徴とする誘電体薄膜。

IPC (2件)：

C23C 16/40 ,  H01L 27/04

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭62-147602
  
• 特開昭62-280335
  
• 特開平3-107453
  
• 特開昭61-269804